一、項目內(nèi)容

單晶硅也稱硅單晶，是電子信息材料中最基礎(chǔ)性材料，屬半導(dǎo)體材料類。單晶硅已滲透到國民經(jīng)濟和國防科技各個領(lǐng)域，當今全球超過2000億美金的電子通信半導(dǎo)體市場中95%以上的半導(dǎo)體器件及99%以上的集成電路用硅。目前世界上硅單晶片的年產(chǎn)量已達10000噸。該項目著重研究大直徑直拉單晶硅的規(guī)模化制備工藝解決CZ-Si口中高濃度間隙態(tài)過飽和氧的存在和隨著硅錠直徑增大、長度加長過程中微缺陷密度機器摻雜劑的徑向、縱向微區(qū)不均勻分布等問題；開發(fā)新型硅外延材料用于大功率器件與電路制造：硅外延材料可有效地控制氧、碳等雜質(zhì)玷污，提高其純度、完整性和摻雜均勻性；開發(fā)高質(zhì)量200-300mm正片（外延片和拋光片）材料規(guī)�；�生產(chǎn)工藝等。

二、建設(shè)條件

樂都縣硅石資源豐富，儲量在10億噸以上，工業(yè)集中區(qū)內(nèi)條件完善，電價便宜，交通方便，地理位置優(yōu)越。

三、項目投資及經(jīng)濟效益

項目總投資80000萬元人民幣，項目完成后后可實現(xiàn)年收入100000萬元人民幣，稅金20000萬元人民幣。